金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法.pdf

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本发明公开一种金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法。金属氧化物半导体场效晶体管包含基材结构、多个掺杂区域、氧化层结构、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层沿第一方向形成多个沟槽。任两相邻的沟槽间形成一间距。多个沟槽间的间距沿第一方向递增。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。氧化层结构形成于多个沟槽的内壁及磊晶层的表面上。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于氧化层结构上。金属结构形成于介电质层结构上且电性连接于至

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130651 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201