半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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公开了形成连接到长沟道半导体器件和短沟道半导体器件的源极/漏极区域的背侧通孔的方法以及由其形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包括：第一晶体管结构；与第一晶体管结构相邻的第二晶体管结构；位于第一晶体管结构和第二晶体管结构的前侧上的第一互连结构；和位于第一晶体管结构和第二晶体管结构的背侧上的第二互连结构，第二互连结构包括：位于所述第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；位于第二晶体管结构的背侧上的第二介电层；延伸穿过第一介电层并电耦合到第一晶体管结构的第一源极/漏极区域的第一接触件；和延伸穿过第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140545 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110280100.4 H01L 21/768 (2006.01)