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本发明公开了一种IGBT器件，由多个形成原胞并联而成，各原胞都形成在同一晶圆上，各原胞的栅极结构采用沟槽栅，沟槽栅包括形成于栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于栅极沟槽中的多晶硅栅；多晶硅栅完全填充栅极沟槽时会对晶圆产生第一应力，在多晶硅栅的中间区域还包括在多晶硅栅完全填充栅极沟槽后刻蚀形成的第二沟槽，第二沟槽中填充有应力释放层，应力释放层用于释放第一应力，使同一晶圆上的各原胞的性能的均一性提高。本发明能提高同一片晶圆上IGBT器件参数的均一性，并从而提高产品良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140626 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 20201
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