高性能图像传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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高性能图像传感器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种高性能图像传感器及其制备方法，像素结构使用沟槽式通孔连接上、下两层金属，该沟槽式通孔与上层金属形成与像素大小相同的网格，作为金属遮蔽结构。在下层金属制程之后，沉积一层SiN衬底，作为像素区的沟槽式通孔和逻辑区的金属孔的终止层；在孔刻蚀制程过程最后增加一步对SiN具有高选择比的蚀刻工艺，使沟槽式通孔和金属孔既与下层金属链接，又停留在介质氧化层上，形成金属遮蔽；之后，在沟槽式通孔上溅射上层金属，并通过光刻形成相同宽度的金属遮蔽结构。可以减小在进行光通道蚀刻过程中等离子体对硅表面的损伤

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113438 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110389664.1 (22)申请日 2021.04.12 (71)申请人上海韦尔半导体股份有限公司