一种栅极FET混频器.pdfVIP

下载本文档

6
0
约9.33千字
约 10页
2023-06-14 发布于四川
举报
版权申诉

一种栅极FET混频器.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种栅极FET混频器，属于混频器技术领域。本发明的栅极FET混频器包括：双工器、输入匹配、栅极偏置、漏极偏置、输出匹配、射频滤波器和FET管，且双工器通过输出匹配电路与FET管的栅极连接，栅极电源通过输入端射频扼流电路注入FET管栅极，漏极电源通过输出端射频扼流电路注入FET管漏极，使得FET管工作在混频效果最好的状态。混频输出信号通过输出匹配网络完成FET与负载的匹配，并通过射频滤波器滤除输出端的直流信号和杂散信号。由于输入端采用了双工器的结构，使得混频器即使在中频信号频率较高的情

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113114114 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110370901.X (22)申请日 2021.04.07 (71)申请人电子科技大学地址