验证执行于存储单元上的操作的方法和电子电路.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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验证执行于存储单元上的操作的方法和电子电路.pdf

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本发明涉及一种用于验证执行于电阻式随机存取存储器(resistiverandomaccessmemory，RRAM)的存储单元上的操作的方法和电子电路。在本发明的一方面，该方法将包括但不限于在写入操作期间，持续对电阻式随机存取存储器的存储单元上施加第一写入电压；在该写入操作期间，持续测量存储单元的电阻变化率；检测电阻变化率是否出现变化；当检测到电阻变化率出现变化时，检测第一电阻是否低于目标电阻值；以及当已检测到第一电阻低于目标电阻值时，判断存储单元是有效的。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113129965 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20191