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本发明公开一种利用耐高温托盘进行化合物半导体晶圆高温回火工艺，包括以下步骤：S1、在耐高温托盘表面开设放置槽；S2、机械打磨化合物半导体基板；S3、将化合物半导体基板放入耐高温托盘表面的放置槽中，通过加热氧化在化合物半导体基板表面形成一层介电膜；S4、化合物半导体基板与硅基载板形成永久键合结构；S5、将化合物半导体基板和硅基载板取下，进行后续晶圆制程。本发明通过耐高温的托盘承载小尺寸的化合物半导体基板进行高温制程，可以一次对多块小尺寸的化合物半导体基板进行高温回火，高温制程后直接将硅基载板覆盖在
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113306 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110379306.2 (22)申请日 2021.04.08 (71)申请人 绍兴同芯成集成电路有限公司
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