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本发明公开了一种晶体光轴取向的测量方法，包括：晶体样品放置于第一平面上，将入射光沿着第一方向入射到晶体样品的表面，采用穆勒矩阵测量系统测量此时晶体样品的第一穆勒矩阵；将晶体样品或入射光绕着第一旋转方向旋转角度ω以使得入射光以入射角为ω入射到晶体样品的表面，并采用穆勒矩阵测量系统测量此时晶体样品的第二穆勒矩阵；再将晶体样品或入射光绕着第二旋转方向旋转角度2ω以使得入射光以入射角为‑ω入射到晶体样品的表面，并采用穆勒矩阵测量系统测量此时晶体样品的第三穆勒矩阵；根据第一穆勒矩阵、第二穆勒矩阵和第三穆勒
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113092387 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110321113.1 (22)申请日 2021.03.25 (71)申请人 清华大学深圳国际研究生院
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