二类超晶格制冷红外芯片干法刻蚀装置及刻蚀方法.pdfVIP

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2023-06-13 发布于四川
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二类超晶格制冷红外芯片干法刻蚀装置及刻蚀方法.pdf

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本发明公开了二类超晶格制冷红外芯片干法刻蚀装置及刻蚀方法，刻蚀装置包括有箱体，箱体内部通过隔板分隔成上腔室和下腔室，箱体的正面设有仓口，仓口处安装有仓门，隔板的中部设有开口，下腔室中安装有样品台，样品台的上方设有升降台，升降台固定连接样品台，样品台与升降台之间形成刻蚀区，刻蚀区内设有基板，样品台由升降装置驱动升降，箱体上设有稳压管、第一真空管、第二真空管和加气管，加气管连接Cl2和BCl3气体。本发明的二类超晶格制冷红外芯片干法刻蚀装置及刻蚀方法，能够有效解决芯片刻蚀过程中刻蚀气体消耗量大，刻蚀

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113097105 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110319405.1 (22)申请日 2021.03.25 (71)申请人浙江焜腾红外科技有限公司