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勿以恶小而为之，勿以善小而不为。——刘备 模拟电子技术基础填空题及答案 模拟电子技术基础填空题及答案 1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电 流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通 后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时， 扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时， 稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中 研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技 术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导 电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变， 典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运 动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本 征半导体的载流子为电子—空穴对 。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴 (P)半导体和电 子(N)半导体两大类 。 穷则独善其身，达则兼善天下。——《孟子》 宠辱不惊，看庭前花开花落；去留无意，望天上云卷云舒。——《洪应明》 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反 映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大 电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变 化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分 为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和 旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它 参数不变，三极管的 β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大 器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 Va=1.2V，Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管(材料)，NPN型 的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍 数为10000。 22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反 偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-1V，Vb=- 3.2V,Vc=-3.9V,这是硅管(硅、锗)，NPN型，集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的.放大电路分别为：阻容(RC)耦合、直 接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 人人好公，则天下太平；人人营私，则天下大乱。——刘鹗 以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子·牧民》 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级