碳化硅单晶生长控制装置及控制方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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碳化硅单晶生长控制装置及控制方法.pdf

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本发明提供一种碳化硅单晶生长控制装置，包括壳体、加热装置、硅源气体管道和碳源气体管道。壳体内形成有反应腔室，反应腔室内设有碳化硅籽晶置放位；加热装置设于壳体，用以控制反应腔室的内部温度；硅源气体管道用以向反应腔室内通入硅源气体，碳源气体管道用以向反应腔室内通入碳源气体；硅源气体管道设有第一质量流量控制器，用以监测和控制硅源气体的流量；碳源气体管道设有第二质量流量控制器，用以监测和控制碳源气体的流量。本发明还提供一种碳化硅单晶生长控制方法。本发明能够调节和控制硅源气体流量和碳源气体流量之比，使得反

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113026099 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202110248412.7 (22)申请日 2021.03.05 (71)申请人广州爱思威科技股份有限公司