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本发明公开了一种预测低维MXenes可合成性的理论方法。属于低维材料性质模拟计算领域，该方法首先通过建模软件构建多种MAX相模型，然后运用VASP软件进行结构优化和静态自洽计算，得到每个系统的能量值和电子结构数据，接着从两个角度定义剥离能，并以剥离能从理论上待预测MAX材料的剥离难度。最后运用VASP软件进行非静态自洽计算，绘制体系的态密度图和电荷密度图，分析材料属性和成键强度，筛选出理论上可合成的低维MXenes组成。本发明避免了传统的实验试错法，为低维MXenes材料合成的可能性提供了理论预
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112861303 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011277601.9 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人 东南大学 地址 21
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