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本发明公开了IBC电池的制备方法、IBC电池和太阳能电池组件。该制备方法包括：在n型硅基体的背面制备p+掺杂层；在p+掺杂层上形成第一掩膜；采用激光去除部分区域的第一掩膜，形成指交叉排列的包括p+掺杂层和第一掩膜的第一区域以及包括p+掺杂层的第二区域；用第一碱溶液去除第二区域中的p+掺杂层，使相邻两个第一区域之间形成第一凹槽结构，其中，第一凹槽结构的剖面为梯形，第一区域包括的第一掩膜延伸至于梯形的下底；在第一凹槽结构的上底形成n+掺杂层或者隧穿氧化钝化接触层，并通过延伸至梯形的下底的第一掩膜限制
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864275 B (45)授权公告日 2022.12.27 (21)申请号 202011630970.1 H01L 31/0352 (2006.01) (22)申请日 2020.
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