一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法，解决的是制备的材料电阻率和迁移率低下太赫兹辐射低的技术问题，通过采用包括重叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、超晶格有源层；超晶格有源层由(GaAs)n/(InAs)m晶格层和(GaAs)m/(InAs)n应力补偿层构成，其中，m和n表示的是生长材料的ML层数的技术方案，较好的解决了该问题，可用于太赫兹光电导天线材料中。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864575 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110041053.8 (22)申请日 2021.01.13 (71)申请人广西师范大学地址