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本发明实施例提供的半导体功率器件的制造方法，包括：以硬掩膜层为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，在半导体衬底内形成第一沟槽；在第一沟槽的表面形成栅氧化层；在第一沟槽的侧壁处形成栅极；以硬掩膜层为掩膜对栅氧化层和半导体衬底进行刻蚀，在半导体衬底内形成第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽内形成氮化硅侧墙；以硬掩膜层和氮化硅侧墙为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，在半导体衬底内形成第三沟槽；进行热氧化，在第三沟槽的表面形成第一场氧化层；淀积形成第二场氧化层；淀积第二层多晶硅并回刻，在第三沟槽、第二沟槽和第一沟槽内形成屏蔽栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864019 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 201911194101.6 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2
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