半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法.pdf

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本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上的水平电极、以及在水平电极之间的水平绝缘层。该半导体存储器件还可以包括穿透堆叠结构的垂直结构，垂直结构中的第一垂直结构在单元阵列区域上，并且垂直结构中的第二垂直结构在延伸区域上。每个垂直结构包括沟道层以及依次堆叠在沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。第一垂直结构的电荷存储层包括电荷存储图案，电荷存储图案在垂直于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且水平绝缘

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542467 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202010984502.8 (22)申请日 2020.09.18 (30)优先权数据 10-2019-0