一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的方法及装置.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的方法及装置.pdf

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本发明提供了一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的方法及装置，该方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放入石墨板上，石墨板位于坩埚内，将所述坩埚置于加热炉内；(2)使用电子束将坩埚加热至2000℃以上，加热的时间为5～15min，使碳化硅衬底的表面平整化；(3)控制加热炉的温度为1300～1600℃，使碳化硅衬底表面形成石墨烯层。通过使用电子束加热坩埚，使坩埚的瞬时温度达到2000℃以上，坩埚向内部的碳化硅衬底传递热量，使得碳化硅衬底表面的杂质和部分硅源碳源升华，使其表面平整化，从而改善了石墨烯基层的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112522780 B (45)授权公告日 2021.08.31 (21)申请号 202011089251.3 C30B 25/16 (2006.01)