形成半导体器件的方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约3.18万字
约 44页
2023-06-01 发布于四川
举报
版权申诉

形成半导体器件的方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种方法包括：分别在第一半导体区和第二半导体区上方形成第一栅极电介质和第二栅极电介质；沉积含镧层，该含镧层包括分别与第一栅极电介质和第二栅极电介质重叠的第一部分和第二部分；以及沉积硬掩模，硬掩模包括分别与含镧层的第一部分和第二部分重叠的第一部分和第二部分。该硬掩模不含钛和钽。该方法还包括形成图案化的蚀刻掩模以覆盖硬掩模的第一部分，其中硬掩模的第二部分暴露；去除硬掩模的第二部分和含镧层的第二部分；以及执行退火以将含镧层的第一部分中的镧驱入第一栅极电介质中。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530870 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010981181.6 (22)申请日 2020.09.17 (30)优先权数据 16/572,82