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本公开的各种实施例是针对一种像素传感器,包含在光检测器之下的虚设垂直晶体管结构。像素传感器包含衬底,具有与背侧表面相对的前侧表面。光检测器安置于衬底内。深沟槽隔离(DTI)结构从衬底的背侧表面延伸到背侧表面下方的第一点。深沟槽隔离结构环绕光检测器的外周。虚设垂直晶体管结构在深沟槽隔离结构的内侧壁之间横向间隔开。虚设垂直晶体管结构包含虚设垂直栅极电极,具有虚设导电体和虚设包埋导电结构。虚设包埋导电结构从衬底的前侧表面延伸到第一点垂直上方的第二点且虚设导电体沿衬底的前侧表面延伸。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542475 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 20191
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