抗反射电磁屏蔽结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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抗反射电磁屏蔽结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种电磁屏蔽结构及其制备方法，尤其是一种抗反射电磁屏蔽结构及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述抗反射电磁屏蔽结构，包括衬底以及设置于所述衬底上的纳米森林结构，在所述纳米森林结构上设置金属薄膜，且纳米森林结构上所有的金属薄膜相互连接呈一体。本发明得到的电磁屏蔽结构具有较大的电导率以及低反射率，有效实现电磁屏蔽，与现有工艺兼容。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112533468 B (45)授权公告日 2021.11.30 (21)申请号 202011422761.8 B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日