具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.25万字
约 11页
2023-06-01 发布于四川
举报
版权申诉

具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用。所述SiC陶瓷器件包括低B、C残余的SiC陶瓷基体和位于SiC陶瓷基体表面的高纯CVD‑SiC薄膜；所述SiC陶瓷基体的致密度高于98%；所述SiC陶瓷基体的纯度高于99.5wt%；所述CVD‑SiC膜的纯度高于99.9wt%。本发明通过在低B、C残余SiC陶瓷表面镀制一层高纯CVDSiC薄膜，将有效减少B元素扩散进晶圆中，减少对晶圆的不利影响。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112521154 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011528207.8 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人中国科学院上海硅酸盐研究所