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2023-06-01 发布于四川
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本发明的实施方式提供一种能够适当地写入信息的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1电阻变化存储元件，能够根据写入电流设定第1低电阻状态或第1高电阻状态；第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极，在第1写入期间，流动与流动到所述第1电阻变化存储元件的电流共通的电流；电压保持部，在所述第1写入期间之后保持施加于所述第1栅极的第1电压；以及第2晶体管，具有第2栅极、第2源极及第2漏极，在所述第1写入期间之后的第2写入期间，将由所述电压保持部保持的所述第1电压施加于所述第2栅极，而使电流流动到所述第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530487 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 20201