除胶渣与镀通孔课件.pptxVIP

2009.02.04;;;;;四種情況成孔後都難免出現膠渣，金屬化之前必頇 徹底清除以保證互連的品質;;膨鬆處理係採可水溶之有 機溶劑用以組成強鹼性之 高溫(75℃)槽液，經1-10分 鐘之浸泡處理，迫使各種 膠渣發生腫脹鬆弛，以利 Mn+7的順利攻入與咬蝕;當鑽孔過度偏轉，或膨鬆劑滲入過多，或玻纖布耦合處理不 良時，將造成膨鬆劑滲入板材。直到下游組裝焊接強熱時所 滲入的溶劑將會迅速膨脹造成Pocket Void口袋空洞。;;1;基本環氧樹脂鏈狀主結構中，非苯環之局部鍊狀處具 有極性最容易遭到高溫Mn+7的氧化分解與潰散溶化;;;;Desmearing溶除膠渣的氧化反應中，紫色的Mn+7自身卻被還 原成無效綠色的Mn+6，阿托科技的再生機Oxamat又可將之重 新氧化回到有效的Mn+7，此Oxamat目前已推出了第四代機。;高溫碱性高錳槽液長期攪拌使用中會累積多量的碳酸 鈉，與LF/HF等粉料均造成槽液黏度增大流動變差，對 深孔的交換十分不利，經常導致除膠渣能力的不足。;;無鉛化板材加入重量比25%的SiO2；無鹵板材 加入比25% Al(OH)3，造成各種製程的困難;;此為一般性RCC雷射直接成孔LDD後之銅箔板面與 切孔外觀，經Desmearing後之孔壁也常呈現蜂窩狀;半加成製程(SAP)的載板其增層板材常用到ABF膠片， 在無銅箔阻礙之方便下CO2可直接燒出微盲孔或UV打 出更小盲孔，其Desmear前後外觀也相差很多。;23;2;;26;;;;30;31;32;除膠渣後之玻纖束會帶負電(靜)，但整孔處理後卻可改為正電 。此乃因整孔液中已添加正電較強之陽離子性潤濕劑吸附所致;;微蝕之另一目的是對基銅表面進 行粗化，以增強後來活化反應錫 鈀膠團對基銅表面的抓地力;孔壁銅環側面的整孔皮膜其微蝕中會從根部予以剷除 ，但玻纖與樹脂部分仍可繼續保有原本帶正電性的整 孔皮膜，故仍能在後續流程中吸附鈀膠團與化銅層。;;較大之氯化錫鈀膠團;;;;42;;44;由於LF/HF與高Tg板材特性之迥異，除膠渣後樹脂面很 難取得所認知的蜂窩狀，為了減少後續ICD與盲孔脫墊的 危險起見，宜改採低應力化學銅而不應過度強調desmear;46;在場發式電子顯微鏡(FE-SEM)放大5萬倍觀察下，可 見到化銅層結晶較大者內應力較低，傳統細小結晶的 化學銅其內應力較高，不太適宜於無鉛與無鹵板材;48;;;;;???六圖為微盲孔填銅的HDI板類，也可清楚見到盲孔經PTH處理後 周圍基材上所沉積的化銅層。但底墊的銅箔光面或頂部銅箔的毛面 上卻絲毫不見化學銅的蹤影。說明常規化學銅不會鍍在銅面上。;90年代曾流行過一陣子高溫常時間的厚化銅，可節省掉一次銅（全 板銅）的設備、加工成本與場地，但終因品質不佳而遭淘汰。;厚化銅組織鬆散且內應力很大，後續強熱中經常出現拉離與彈開。 且現場削槽與剝掛架之烏烟瘴氣非常痛苦。厚化銅應儘速淘汰。;厚化銅槽液50℃浸泡時間常達50分鐘，厚度40μin，因而更容易發 生滲銅（Wicking）與CAF，微切片利用鉻酸式微蝕極易分辨。;暗場3000倍畫面上可清楚分辨厚化銅以及電鍍一銅與二銅間 冬材（Demarcations）兩者的不同，更可從右圖線路邊緣處 見到軟弱厚化銅遠甚於冬材的深入側蝕，厚化銅組織鬆散強度 之欠佳不言而喻。;;5;6;失效案例3：通孔之孔銅破洞(Voids);失效案例4：通孔楔形孔破之一;通孔楔形孔破之二;失效案例5：機鑽釘頭過大(IPC-6012B已不再列為缺點);6.除膠渣不足之特徵如下列垂直與水平切片畫面之所示， 並將造成後續環與孔壁互連品質(訊號完整性SI)之隱憂;6.1孔環與孔銅介面處即使少許殘餘之膠渣，亦可用 SEM與EDX檢查到溴(Br)的存在，一葉落知天下秋 證據所在還頇認真檢討整體流程;7.孔壁與內環互連鬆散不良的ICD(Innerlayer Defect) 可能在後續強熱或連續變溫之振盪中造成後分離;;7.2化學銅之後，當生產板遭遇到某種表面張力過低 之槽液時，將會伺機滲入化學銅層造成海綿狀之 鬆弛效果，並可能引發後續的ICD問題。;8.環狀斷孔(Ring Void)可能出自PTH流程不良，破壁處 銅尾圓潤且見不到滲鈀滲銅現象。也可能出自二次銅 後之純錫阻劑不良而被咬斷，但兩者斷口完全不同。;8.1二次銅後酸性鍍錫不良尤以深孔中央之鍍錫層，由於四價錫 太多而鬆散，蝕刻成線過程保護不週下必然傷及孔銅。 下游焊接拉扯之下經常造成斷孔，與化銅未上者完全不同。;9.漂錫後的樹脂縮陷(Resin Recession)主要是出自壓合熱 量不足，樹脂尚未徹底固化之所致，頇測其△Tg。;10.孔壁上一旦發現空心銅瘤時，即表整孔槽液可能已因加熱 不均引發局部過熱而裂解皂化，所出現的漿體附著在孔壁 又被化銅電銅包