半导体装置及半导体电路.pdfVIP

下载本文档

2
0
约2.97万字
约 32页
2023-06-01 发布于四川
举报
版权申诉

半导体装置及半导体电路.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

实施方式提供具有IGBT和二极管并能够缩小芯片尺寸的半导体装置及半导体电路。半导体装置具备：半导体层，具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、第1导电型的第6半导体区域、第1沟槽和第2沟槽；第1沟槽中的第1栅极电极；第2沟槽中的第2栅极电极；第1面侧的第1电极；第2面侧的第2电极；与第1栅极电极连接的第1电极焊盘；与第2栅极电极连接的第2电极焊盘，该半导体装置具有包含第1半导体区域的第1区域、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542513 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 20201