一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件.pdf

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本发明提供一种生产NLDMOS器件的方法，还提供了通过该方法得到的NLDMOS器件。该方法包括首先提供一P+型衬底；然后在所述低阻P+型衬底两侧形成STI区域和Pwell层；再在所述Pwell层的上方生成栅极区域；然后在所述STI区域之间生成漏极区域和源极区域；最后在所述Pwell层的底部注入硼元素，然后将Body的电极从所述Pwell层的底部引出，并形成Body区域；本发明提供的方法生产得到的NLDMOS器件面积大大减小，使电流检测功能的器件可集成。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510095 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011384126.5 (22)申请日 2020.12.01 (71)申请人无锡先瞳半导体科技有限公司