半导体器件及其制作方法、芯片键合结构.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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半导体器件及其制作方法、芯片键合结构.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法、芯片键合结构，包括：提供键合的第一晶圆和第二晶圆；形成位于第二衬底上的图形化的绝缘层，图形化的绝缘层具有均暴露出第二衬底的第一开孔和辅助开孔；形成保护层，保护层填充部分深度的辅助开孔以及覆盖第一开孔的侧壁；形成硅通孔；形成第二金属层，第二金属层包括互连金属层和辅助金属层，互连金属层填充硅通孔且与第一金属层电连接；辅助金属层填充辅助开孔。本发明中，辅助金属层的形成工艺兼容了TSV工艺，不需要增加额外的工艺，在不增加成本的情况下形成辅助金属层，使第二晶圆表面的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112509915 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011378733.0 (22)申请日 2020.11.30 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司