GaN器件结构及制备方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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GaN器件结构及制备方法.pdf

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本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，GaN器件制备包括：提供半导体基底，形成石墨烯层，在石墨烯层中形成刻蚀凹槽，在刻蚀凹槽中生长金刚石柱，在石墨烯层上形成上表面高于金刚石柱的GaN功能层，制备势垒层。还可以进一步剥离半导体基底和石墨烯层，将石墨烯层及上方结构转移至一工作衬底上。本发明通过将石墨烯层和金刚石有效的集成在GaN器件当中，解决GaN器件有效散热的问题，减少了材料热阻，提高散热效果，工艺简单，且衬底可回收，降低了成本，基于本发明的方案，可以有效降低器件厚度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112509996 B (45)授权公告日 2021.05.11 (21)申请号 202110158040.9 H01L 29/20 (2006.01)