一种倒装结构蓝光Mico-LED芯片设计制造方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种倒装结构蓝光Mico-LED芯片设计制造方法.pdf

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本发明属于半导体发光器领域，特别涉及一种倒装结构蓝光Mico‑LED芯片的设计制造方法，该方法采用重掺杂的p++GaN和n++GaN形成的隧穿结限制电流路径，降低了接触电阻，提高了Si施主和Mg受主浓度，电子的空穴的辐射复合率提高，内量子效率、取光效率从而得到提高。采用倒装结构Micro‑LED，并利用ITO/DBR分别作为透明导电层和电流阻挡层，有源区发射光子经DBR反射后，从蓝宝石衬底出射到空气中，提高了取光效率。同时还满足了Micro‑LED显示体积小，易制成微型化的需求。Micro‑

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510130 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011392364.0 (22)申请日 2020.12.02 (71)申请人武汉