倒装双层DBR的LED芯片结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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倒装双层DBR的LED芯片结构及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种倒装双层DBR的LED芯片结构及其制作方法，其中倒装双层DBR的LED芯片结构包括：在芯片衬底的正面生长有LED芯片外延结构，在外延结构表面上镀有ITO膜；在芯片结构上制作N、P金属导电支线；在芯片结构的正面沉积有SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层表面镀有第一DBR反射层，通过ICP刻蚀技术将N、P金属导电支线暴露出来并在对应位置制作N、P焊盘电极；在芯片结构背面镀有第二DBR反射层；芯片结构在未切割时，在芯片结构上通过刻蚀技术形成切割道，芯片沿切割道进行切割。本发明通过在DBR反

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510135 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011508892.8 (22)申请日 2020.12.18 (71)申请人普瑞（无锡）研发有限公司