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本发明实施例提供一种生产NLDMOS器件的方法,还提供了通过该方法得到的NLDMOS器件。该方法包括首先在一提供一低阻P+型衬底,然后在所述低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层,再在所述STI区域内侧分别刻蚀出PB区域,然后所述低阻P+型衬底上方生长栅氧并形成栅极,在所述PB区域生成源极区域,最后在所述PB区域之间刻蚀深孔区域,并将所述深孔区域进行填充后,金属淀积刻蚀形成漏极区域。本发明提供的方法生产得到的NLDMOS器件面积大大减小,使电流检测功能的器件可集成。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112510094 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202011384122.7
(22)申请日 2020.12.01
(71)申请人 无锡先瞳半导体科技有限公司
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