一种MEMS探针激光刻蚀方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种MEMS探针激光刻蚀方法.pdf

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本发明一种MEMS探针激光刻蚀方法属于半导体加工测试技术领域；所述MEMS探针激光刻蚀方法首先进行参数计算，根据单晶硅圆片的刻蚀间距，得到电机的步进角度，然后进行初始位置调整，将旋转螺旋通槽板至初始位置，将第一刻蚀点移动至光轴，并调整四维台，再进行激光刻蚀与进度判断，最后调整四维台和电机，包括四维台向下移动的距离、向左移动的距离和顺时针转动的角度，以及电机转动的角度；本发明MEMS探针激光刻蚀方法，配合本发明的MEMS探针激光刻蚀装置，不仅刻蚀精度更高，而且刻蚀间距能够连续调节。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112453692 B (45)授权公告日 2022.03.29 (21)申请号 202011382154.3 审查员孔祥艳 (22)申请日 2020.12.01