新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法.pdf

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本发明公开了新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法，包括依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、第一量子阱、P型布拉格反射镜、设置在缓冲层远离N型布拉格反射镜的至少部分表面上的第一反向电极、设置在P型布拉格反射镜远离N型布拉格反射镜的表面的边缘的正向电极、设置在正向电极以及正向电极未覆盖的P型布拉格反射镜的表面上的第二量子阱以及设置在第二量子阱远离P型布拉格反射镜的表面的边缘的第二反向电极。通过在最外层生长第二量子阱结构，使得对激光器件的调制不再是对激光器添加电激励，而是通过改变第二量子阱结构的特

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112467517 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011270985.1 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人华芯