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本发明实施例提供一种太阳能电池及形成方法，太阳能电池的形成方法包括：提供基底，基底包括隧穿氧化层；在隧穿氧化层表面形成依次堆叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第二半导体层内含有第一掺杂元素，第一掺杂元素的类型为N型或P型；进行第一热处理，第一热处理适于提高第一半导体层的结晶程度以及第三半导体层的结晶程度；进行第二热处理，以使第一掺杂元素向第一半导体层以及第三半导体层内扩散，使第一半导体层转换为第一钝化接触层，第二半导体层转化为第二钝化接触层，第三半导体层转化为第三钝化接触层，且第
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466996 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011339973.X (22)申请日 2020.11.25 (71)申请人 浙江晶科能源有限公司
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