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本发明提供一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；执行轻掺杂源漏离子注入工艺，以在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成轻掺杂源漏区；执行袋区离子注入，以在所述轻掺杂源漏区底部形成袋型离子注入区；执行源漏离子注入，以在所述栅极两侧的所述半导体衬底中形成源漏区，其中，所述轻掺杂源漏区、所述袋型离子注入区和所述源漏区共同构成在所述栅极结构下方具有倾斜的形貌的源漏极。根据本发明的在半导体器件的制作方法和半导体器件相同的面积下，能拥有更高
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112447845 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 201910832790.2 H01L 21/336 (2006.01)
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