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本文公开短通道、水平栅极全环(GAA)纳米结构(如：纳米片、纳米线等)晶体管、半导体装置的制造方法及以GAA晶体管形成的装置。根据一些方法，形成的GAA晶体管具有防止APT掺杂扩散到通道区域中的保护带、浅层源极/漏极深度、及/或基板中的井及APT布植后的装置通道区域外延生长。借此，形成的GAA晶体管用于减轻可能在制造栅极全环(GAA)晶体管期间由抗接面击穿(APT)掺杂扩散引起的议题，如底部片临界电压(Vt)偏移、接面漏电、APT掺杂物向外扩散、井邻近效应、及APT布植污染。不过，GAA晶体管及
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447598 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20201
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