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本发明公开了一种芯片炖化层的制备方法、芯片炖化层及芯片，在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。由此通过沉积、生长、再沉积、图形化、蚀刻、释放操作，获得了工艺集成度高，且具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112458427 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011226912.2 C23C 16/50 (2006.01)
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