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本发明揭示了降低双极型器件正向导通SFs拓展的SiC外延层生长方法、结构及生长方法供气管路，所述降低双极型器件正向导通SFs拓展的SiC外延层生长方法，包括如下步骤：S1，提供SiC衬底；S2，在所述SiC衬底上形成掺杂有N与Ti或N与V的外延缓冲层；S3，在所述外延缓冲层上形成有N﹣外延层。本方案设计精巧，通过在衬底和外延层之间设置外延缓冲层，通过对外延缓冲层中深能级缺陷掺钛或掺钒浓度的有效控制，可控降低外延缓冲层中的少子寿命，基本可以实现SiC双极型器件正向导通时遏制注入少子接近底板，从而阻
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447498 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20191
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