制造半导体器件的方法和半导体器件.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf

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一种半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构和源极/漏极区域。栅极结构包括位于沟道区域上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的第一功函调整层、位于第一功函调整层上方的第一屏蔽层、第一阻挡层以及金属栅电极层。第一功函调整层由n型功函调整层组成并且包括铝。第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，含铝层具有比第一功函调整层低的铝浓度。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447830 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20201