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本发明涉及一种高速DFB激光器芯片及其制作方法,其包括以下步骤:在衬底上依次生长缓冲层、下限制层、量子阱、上限制层、第一过渡层、腐蚀停止层、第二过渡层、光栅层、P‑InP包层,经过光栅制作后,再二次外延生长P‑InP波导层、欧姆接触层,随后完成脊波导制作、脊条上注电窗口接触条制作,在接触条上制作条形电极,脊波导两侧制作BCB图形,凹槽内的BCB厚度经过刻蚀后与脊波导高度一致,在BCB图形上制作圆形电极,连接条形电极。本发明不仅有效降低激光器各种寄生电容,满足高速调制应用,能降低现有BCB刻蚀工艺
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112436381 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202011347123.4 (56)对比文件
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