半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成介电层；刻蚀所述介电层，在所述介电层内形成通孔，暴露出所述基底表面；对所述通孔侧壁的所述介电层进行表面处理；在所述通孔内填充满金属层；本发明在通孔内填充金属层之前，对通孔侧壁的介电层进行表面处理，提高后续填充的金属层与通孔侧壁的介电层之间的粘附力，金属层和通孔之间具有较好的成形质量，从而提高形成的半导体器件的性能和良率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420595 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 20191