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本发明涉及一种高容量的硅碳材料及其制备方法，该硅碳材料以硅材料为核，以掺有导电剂的碳层为壳。该制备方法包括：S1，将硅源、包覆剂以及导电剂混合均匀，得混合物料；S2，融合所述混合物料；S3，高温包覆处理；S4，高温炭化处理。本发明在融合过程中可使硅源、包覆剂和导电剂更均匀、更紧密的粘结，导电剂的添加可增强硅碳材料的导电性，融合过程可以避免导电剂颗粒之间的团聚，使其均匀分散，同时通过表面高温动态包覆，硅源的外层的包覆剂可对暴露的硅源进行表面修饰，且碳表面可形成一层较稳定的、光滑的固体电解质界面膜，
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112421002 B (45)授权公告日 2022.03.29 (21)申请号 202011247011.1 H01M 10/0525 (2010.01) (22)申请日
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