基于二维材料/相变材料/半导体的集成光相移器.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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基于二维材料/相变材料/半导体的集成光相移器.pdf

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本发明公开一种基于二维材料/相变材料/半导体的集成光相移器。该光相移器是在半导体基底上经过有源掺杂和部分刻蚀形成掺杂光波导，掺杂光波导上沉积有低损耗的相变材料层，二维材料层覆盖在相变材料层顶部，整体结构处于上包层和下包层之间，上包层顶部的两个金属平板电极分别通过窗口或通孔与掺杂半导体和二维材料层接触。掺杂半导体和二维材料层分别作为对相变材料层进行调控的两个电极，用于使外加电流通过相变材料层并使其产生焦耳热，进而诱导相变材料层发生相变。相比于传统的基于热光、电光、载流子色散等效应的光相移器，本发明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112394542 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011278842.5 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人浙江大学地址 31