具有晶圆级自密封真空腔结构的压力传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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具有晶圆级自密封真空腔结构的压力传感器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种具有晶圆级自密封真空腔结构的压力传感器及其制备方法，方法包括：提供衬底；在衬底沿其厚度方向的第一表面形成预定深度的腔体；在衬底的第一表面以及腔体中形成牺牲层，并对牺牲层进行平坦化处理；在平坦化处理后的牺牲层上形成支撑层，图形化支撑层获得第一过孔；通过第一过孔去除掉腔体中的牺牲层，形成空腔；在图形化后的支撑层上形成密封绝缘层，以对空腔进行真空密封，形成真空密封腔；在密封绝缘层上形成压敏单元，压敏单元与真空密封腔相对应，以制备得到压力传感器。本发明不需要制作硅杯，也无需键合工艺，可在制

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112393838 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202110065511.1 (22)申请日 2021.01.19 (71)申请人南京高华科技股份有限公司