一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法，旨在解决现有技术中砷化镓霍尔元件灵敏度偏低的问题，其技术要点在于包括依次层叠设置的衬底、功能层、磁性层和位于所述功能层各个角的金属电极，磁性层位于所述功能层远离所述衬底一侧表面的中心紧贴设置。本发明通过磁性层的作用，使得在磁场中，通过霍尔元件功能区的磁力线密度大幅增加，放大外界磁感应强度，从而同步提升霍尔元件的灵敏度，并且不增加工艺复杂性和成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397637 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011333356.9 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人苏州矩阵光电有限公司