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本发明公开了一种新型阻容复合芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括电阻芯片、电容芯片、两根引线，以及用于包覆电阻芯片和电容芯片的保护层；电阻芯片与电容芯片并联连接，两根引线平行设置，并分别与电阻芯片两面的电极连接，保护层为聚氨酯丙烯酸酯大分子单体经过聚合、交联、固化而成，保护层内分散有碳纳米管，碳纳米管内填充有氧化铁。本发明能够有效防止电压突变，吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。此外，聚氨酯丙烯酸酯大分子单体加工成的保护层透明度好，拉伸强度、冲击强度、硬度等机械性能强，热变形
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397306 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011228795.3 (22)申请日 2020.11.06 (71)申请人 重庆
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