半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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半导体元件及其制作方法.pdf

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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一磁性隧穿结(magnetictunnelingjunction,MTJ)以及一第二MTJ于一基底上，然后形成一第一上电极于该第一MTJ上以及一第二上电极于该第二MTJ上，形成一遮盖层于该第一MTJ及该第二MTJ上；形成一保护层于该遮盖层上；去除部分该保护层以形成一凹槽于该第一MTJ及该第二MTJ之间；形成一反射层于该保护层上并填满该凹槽；以及去除该反射层、该保护层以及该遮盖层以形成一第一接触洞。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420918 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 20191