一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型GaAs衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下包覆层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、第一上包覆层、填充层和光栅层；步骤3：在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅；步骤4：二次外延光栅覆盖层、第二上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和第二上包覆层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层；步骤6：刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口；步骤7：形成p面电极和n面电极，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112398000 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011516907.5 G04F 5/14 (2006.01) (22)申请日 20