NMOS器件的N型功函数层及其形成方法及MOSFET结构.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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NMOS器件的N型功函数层及其形成方法及MOSFET结构.pdf

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本申请提供一种NMOS器件的N型功函数层形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，针对NMOS的N型功函数层的PVD工艺，首先形成NMOS的用于形成金属栅极的凹槽，然后采用低温PVD工艺沉积一薄层TiAl，作为缓冲层，以减少高温导致的铝扩散，然后高温退火，之后再采用高温PVD工艺沉积TiAl主体层，较高温度可增强沉积TiAl粒子在基底表面的移动性，产生回流现象，减小PVD的overhang，改善后续金属栅极填充的工艺窗口，也即采用两步PVD沉积，兼顾低温TiAl对Al扩散的抑制及缓冲能力和高温TiA

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112259449 B (45)授权公告日 2022.08.09 (21)申请号 202011084286.8 H01L 21/8238 (2006.01)