基于铌酸锂的波导阵列及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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基于铌酸锂的波导阵列及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。本发明还公开了基于铌酸锂的波导阵列的制造方法。本发明可实现在1550nm光波段抑制波导间串扰，实现高透过率，低插入损耗。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112255724 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011298132.9 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人苏州科沃微电子有限公司