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本发明公开了一种大功率LED芯片的制作工艺及LED芯片，包括依次制作外延片、第一电流扩展层、反射层、第二电流扩展层、阻挡层、钝化层、金属层、P电极与N电极：其中第二电流扩展层的制作包括，先沉积一层第二电流扩展层并制作图形化的光刻胶层；然后对第二电流扩展层进行干法刻蚀，以形成与光刻胶层对应的图形化的第二电流扩展层，第二电流扩展层将位于芯片中P电极周围r1范围内的区域和位于P电极r2范围外的区域进行连续覆盖，其中，R表示P电极与芯片边缘的最远距离。该图形化的第二电流扩展层，可以将P电极附近的区域与P
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112271241 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202011184449.X H01L 33/36 (2010.01)
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